RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2159
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link