RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
39
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2159
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link