RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3296
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link