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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
27
读取速度,GB/s
10.6
17.0
写入速度,GB/s
6.8
13.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3296
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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