Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Note globale
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Note globale
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 43
    Autour de -39% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.9 left arrow 11
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.4 left arrow 7.2
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    43 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.0 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.2 left arrow 12.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1393 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons