RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
no data
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
3043
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link