RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
2858
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link