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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
2163
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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