RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2616
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link