RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2616
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link