RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Super Talent F24EA8GS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Super Talent F24EA8GS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
92
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
92
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F24EA8GS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link