RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
53
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
53
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2356
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link