RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2356
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link