RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2356
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link