RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
53
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
53
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
10.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2356
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link