SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 18.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 77
    Autour de -175% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.8 left arrow 1,884.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    77 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,936.9 left arrow 18.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,884.0 left arrow 14.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    564 left arrow 3564
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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