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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3564
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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