Comparaison de la RAM SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Note globale

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 77

Autour de -175% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

14.8 1,884.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

564 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns