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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2622
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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