SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Note globale
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 15
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    38 left arrow 77
    Autour de -103% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.5 left arrow 1,884.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 6400
    Autour de 3.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    77 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,936.9 left arrow 15.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,884.0 left arrow 12.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    564 left arrow 3005
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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