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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
38
读取速度,GB/s
2,936.9
15.0
写入速度,GB/s
1,884.0
12.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3005
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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