RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
77
Autour de -305% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
19
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3435
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link