RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
77
86
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
86
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
1658
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link