SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Note globale
star star star star star
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    37 left arrow 46
    Autour de 20% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16 left arrow 14.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.4 left arrow 10.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 17000
    Autour de 1.51 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    37 left arrow 46
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.7 left arrow 16.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.6 left arrow 12.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2438 left arrow 2660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons