Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

62 72

Autour de 14% latence réduite

Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.3 7.4

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.0 5.9

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1612 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns