Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

62 72

Intorno 14% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.3 7.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.0 5.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1612 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns