RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
72
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
72
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1817
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link