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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    62 left arrow 72
    周辺 14% 低遅延
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    7.4 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1612 left arrow 1817

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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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