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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
71
周辺 -184% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.2
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
18.1
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
25
読み出し速度、GB/s
2,831.6
20.2
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
18.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
4046
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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最新の比較
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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