RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 71
    Около -184% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.2 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    18.1 left arrow 1,322.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    71 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,831.6 left arrow 20.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,322.6 left arrow 18.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    399 left arrow 4046

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
модули RAM