RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
46
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2660
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link