RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3147
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
INTENSO 5641160 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link