RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3147
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link