SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

総合得点

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

総合得点

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 37

周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.8 14.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.7 10.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 23
読み出し速度、GB/s

14.7 16.8
書き込み速度、GB/秒

10.6 11.7
メモリ帯域幅、mbps

17000 19200

Other

商品説明

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2438 3147

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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