RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
50
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
50
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2852
2512
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link