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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
50
读取速度,GB/s
15.8
15.3
写入速度,GB/s
12.4
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2852
2512
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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