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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
50
读取速度,GB/s
15.8
15.3
写入速度,GB/s
12.4
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2852
2512
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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