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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
50
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
50
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
10.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2852
2512
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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