RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de -28% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
40
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
2031
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link