RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
51
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2031
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link