Comparaison de la RAM SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Note globale

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.6 13.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 39

Autour de -5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.4 7.8

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1940 2143

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns