RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 13.2
    テスト平均値
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 -5% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1940 left arrow 2143

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM