RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
2427
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link