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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
52
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2852
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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