RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3734
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link