RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
44
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2601
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link