RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3035
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link