RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2835
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link