RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
44
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3626
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link