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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
44
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2829
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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