RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2490
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link