RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
66
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
66
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
1699
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link