RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
55
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
55
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2232
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link