RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2230
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link